Ga2O3作為新型超寬禁帶半導體材料，具有優良的物理化學特性，在高功率器件領域有著重要應用。雖然國內Ga2O3體單晶製備技術已經取得了顯著進步，但由於國內Ga2O3外延厚膜技術仍存在空白，限制了Ga2O3器件的發展。HVPE作為生長厚膜的最佳方法，目前國際上只有日本Novel Crystal Technology公司利用此技術研發並量產Ga2O3同質外延片，國內尚處於起步階段，罕有HVPE同質外延Ga2O3的相關報導。
中國電科46所HVPE研發團隊根據多年的HVPE技術基礎，設計並搭建實驗平臺、調整流場結構和探究複雜的生長規律，經過不懈努力，突破了HVPE同質外延Ga2O3過程中氣相成核和外延層質量控制等難題，成功製備出（001）Ga2O3同質外延片樣品，外延層厚度＞10μm，XRD半高寬＜50arcsec，表面粗糙度＜0.5nm，載流子濃度達到1016cm-3數量級，其關鍵技術指標與國外先進水平相近，樣品已送至國內相關器件研製機構驗證。接下來我們將繼續深入Ga2O3同質外延技術研究，最佳化外延製備工藝，實現高結晶質量和電學特性可控的HVPE Ga2O3同質外延片的穩定製備。
中國電科46所作為目前國內首家掌握HVPE Ga2O3同質外延技術的科研單位，HVPE Ga2O3同質外延技術達到了國內領先水平，填補國內相關領域的空白，為相關器件研究提供了有力的技術支撐。
來源：46新聲
