單條96GB的DDR5記憶體條：
SK海力士剛剛宣佈量產採用1α nm工藝的DDR5記憶體，每個晶片的儲存容量為24Gb，是當前業界儲存密度最高的DDR5記憶體晶片。
1α nm是進入10nm級後的第四個工藝節點：之前三個節點的名稱為1x、1y、1z。在1z nm之後按希臘字母α、β、γ等延續，對應不同的工藝改進，這次SK海力士的1α nm使用了EUV光刻。下圖為美光的技術路線圖。
SK海力士24Gb DDR5晶片的最直接作用是推動記憶體容量增長，相比1y nm工藝的16Gb晶片，儲存容量提高50%、效能提高33%、功耗降低25%。24Gb DDR5晶片將首先用於製造伺服器上使用的48GB和96GB RDIMM記憶體條。
150度下儲存10年的7bpc快閃記憶體：
日本Floadia宣佈已開發出一種每單元可儲存7位元資料、150度條件下可儲存十年的新型快閃記憶體。相比之下，普通3D NAND快閃記憶體每個儲存單元可儲存3位元（TLC）或4位元（QLC）資料，工作溫度在70度以內。
當然，也不要被表面引數所迷惑，Floadia的新產品並不是面向SSD或家用數碼產品使用，而是針對嵌入式儲存應用，如邊緣計算環境下AI加速器的CiM記憶體計算。Floadia自己並不製造快閃記憶體，而是將開發出的技術授權給需要的廠商，
在儲存容量上，專為微控制器設計的Sonos快閃記憶體沒有任何優勢，但每單元可儲存7位元資料並在高溫下儲存10年的表現依然非常有特色。Floadia進行了多項創新將7bpc Sonos快閃記憶體的資料保持時間從100秒延長到10年，無疑是一項非常顯著的成就。
