近況交流交付情況：
去年交付給華晟新能源的裝置正在產能爬坡至90%，一同爭取年底前達產。
通威金堂是5月份交付的，400MW一條線，目前產能爬坡至60-70%；執行情況上，邁為是三個供應商中執行最穩定，資料最好的，到11月份也是唯一完成通威任務的供應商。
金剛玻璃12月初交付，預計要交到12月底，三代產品，210半片規格，裝置臺數較多，做一系列安裝準備後預計首次流片在2月，帶鏈式退火吸雜裝置。
訂單情況：
華晟二期，明年2-3月份交貨，招標2.7邁為中標1.8。明陽也進入光伏領域，一期1GW。REC，排到明年4-5月份。
技術平臺：
邁為三個泛半導體領域高階技術平臺，2018年指定策略，堅定執行。
絲網印刷：連續5年國內市佔率70%以上，也是全球最高，國家單項冠軍、拿到國家科技發明二等獎，各項指標優於應用材料；
真空裝置：主要針對光伏，板式PECVD，不做管式。目前還未向其它領域延伸，未來有計劃向泛半導體領域延申；
鐳射裝置：主要是perc鐳射，由於在HJT裡沒有應用，因此轉向了顯示領域， OLED和microLED。
OLED：①Sell端：OLED在2018年到維信諾投標，2019年供應了OLED技術sell端鐳射切割裝置。這個裝置在16寸產線上需要6臺，留給國產裝置一個機位，其他廠家也想嘗試，邁為是國產唯一量產供應商。最終良率、產能、穩定性是安裝的三個品牌裡最好的。邁為的熱損傷、切損也大於低於國外技術公司給的承諾。OLED技術還需要鐳射修復裝置，首先監測可修復的點，然後運用不同波長和能量的光進行修復，提高良率。②模組端：技術難度更高，供應了18米長、70噸的裝置。此外，還有鐳射打標打孔裝置。
MiniLED/microLED：蘋果推進的新技術，邁為研發迅速跟進，做針對儲存層的晶圓改質切割、表面切割。
鐳射平臺延伸到半導體領域，取得了長電科技的訂單，以及有客戶正在進行量產驗證。正在不斷推進，預計2022年有規模的訂單貢獻。
交流環節
Q：2022年預計HJT規模是多少？
A：20-30GW。之前預測，今年10GW、明年20-30GW。目前來看，今年應該低於10GW，有些客戶拖延，目前市場總招標6.9GW，邁為拿到其中5.6GW，市佔率提升了。去年招標1.8GW，邁為拿到61%。
明年預計還是以新玩家訂單為主，新玩家20GW；老玩家加入的話，向上浮動。
Q：和華晟的聯合研發，關於銀包銅，能做到多少含銀量？
A：做到62%，45%的正在突破，發現後續仍有降低空間。
國內漿料廠銀包銅做得不如國外，低溫銀漿國產的沒問題（晶銀、聚合2020年已經在通威試用了，今年華晟在試用三家，還有一家叫Yinpin，帝科轉向低溫銀漿比較晚），已經小規模出貨了，銀包銅還是日本產（KE）的更好。
國產的意義在於透過市場競爭，降低外資品牌議價權。中國企業想要進行國產替代是比較容易的，使用者龐大、貼近市場、溝通方便，可以快速迭代（高溫銀漿僅用3個月進行了一代迭代），需要時間追趕。
Q：單GW裝置投資額是多少？
A：4億。2019年5.6億，2020年4.5億，今年4億。
Q：怎麼看鐳射轉印？A：鐳射轉印不適合HJT，是高低溫漿料工藝上的差別。轉印放大是點狀的，以PERC絲網印刷鐳射轉印為例，600℃燒結爐高溫解決氣泡、斷柵、虛焊問題。HJT沒有高溫燒結，烘乾不會解決氣泡問題，會空鼓、斷柵，低溫不適合用鐳射技術。
此外，邁為正在研究顯示裝置中的巨量轉移裝置，全世界都沒有量產，難度極高。邁為不會倒退回去做有下坡路的技術，比如perc的核心pecvd 和光伏鐳射，而是去做新技術裝置或者跨行業。
Q：鈣鈦礦和裝置儲備情況？
A：鈣鈦礦需要另外的裝置，它的疊層是2層，我們認為HJT適合做基底層，然後疊鈣鈦礦。需要額外新裝置做鈣鈦礦層，目前全世界還沒有人做出全面積大面積的長晶，都在實驗階段，等到落地至少2-3年。
Q：怎麼看IBC電池 ？
A：邁為觀點是最好拿出資料來對比、證明。PERC最早的轉換效率17%，超過20%才有了2015-2016年的技術匯入、2017年爆發，效率提升是由快到慢的，邁為則開始尋找新的價值增長點。
一開始是希望透過增加一些工藝（裝置），增加效率，但是簡單事情都被做完 了，投入產出比的商業價值有限。因此開始研究下一代主流新技術，我們關注過IBC\TOPCon\HJT，最總選擇了HJT。它會獨立存在5年左右，隨後疊層電池，HJT也適合做基底層。
Q：微晶矽裝置交付情況？
A：金剛會得到第一條微晶矽裝置，2022年2-3月份供應華晟2期，未來看到25%的量產效率，最佳化後到25.5%。2020年HJT量產效率24.5%，今年24.7%。隆基的新紀錄26.3%，就是微晶矽技術的應用。
Q：HJT和TOPCon相比有多少優勢，2022年TOPCon的規模也起的比較多， 30GW？
A：目前TOPCon的資料最大的來自中試線，還沒有GW級，那麼最終能否在量產裝置上實現，還需要量產資料來證明。TOPCon需求來看，目前看到最大的產線規劃湊不出來30GW，目前來看還是Laplace拉普拉斯和微導是核心裝置供應商，捷佳也有。
晶科上全新產線，2022年底10GW，邁為提供絲網印刷，Laplace拉普拉斯供應硼擴和LPCVD核心裝置，清洗用了捷佳（不升級，而是新建，場地問題，第一當初老產線沒有預留空間，第二改造的實際效果有限）。Laplace拉普拉斯供應核心裝置，所以這條線上TOPCon算他的，別人說在此線上供應了TOPCon的說法是不真實的。
尚德有新線2GW，微導供應核心裝置。
通威的改造線可能3條1GW，demo線一條是捷佳，微導2條。潤陽的改造線一條（最老的車間裡），暫時沒有下新訂單。以上裝置選型來看，Laplace拉普拉斯是TOPCon的龍頭裝置供應商，區別於
PERC，其他環節和PERC一樣。邁為仍然做絲網印刷，不自認為是做TOPCon的。
Q：是否想過做LPCVD？
A：真空部門只做HJT真空，下一步跨行業，但不會倒退做LPCVD。真空裝置投入資源巨大，近幾年營銷費用佔比，去年超7%，到今年三季度已經達到9.2%。邁為建立的實驗室，所有裝置（除了清洗裝置、檢測中心的裝置外採）都是自制，仍花了超2億。
邁為認為，不如把精力放在研究微晶矽等方面上，把精力花在未來。
Q：隆基有我們什麼裝置？
A：絲網印刷：隆基用的是理想CVD，YAC清洗，阿登納的PVD。徐博士工藝團隊在隆基用的裝置和當初在漢能是一模一樣的，想要破紀錄，選擇的是相同的熟悉裝置。
HJT產線：CVD價值量佔比50%，以這個為核心，能做的就5家，有資料的3家（邁為、鈞石、理想），都在通威，唯一完成目標任務的就是邁為；沒資料的是金辰、捷佳。裝置端的先發優勢很重要，一是有資料證明，二是有老客戶資源。未來新裝置切入，要價廉質優，要先試用比較，未來格局分化會更大，暫時還沒看到比邁為更強勁的玩家。
設計有天生的優劣勢，邁為裝置設計之初就定位大產能低成本，發現靜態不行，要選動態技術。邁為第一次交貨給通威之前，理想和鈞石的裝置都是2000-2500片/小時，邁為交的第一次裝置就是5000片/小時，衝擊很大；二代是8000片/小時。目前最新的第三代出貨給金剛玻璃，正常規格166矽片下1萬片/小時，實際出貨210半片，14400片/小時，對應166是10700片/小時。邁為已經迭了三代，隆基不會再來攻HJT擂了。
腔室、載板只有適合設計的才是最優的，沒有最科學一說，邁為還是最關注產 能，產能是第一指標。至於如何設計腔室載板，採用鏈式多腔室還是如何，是裝置商的事情。
Q：靶材有沒有國產廠家？
A：有的，主要是銦，是伴生金屬，不存在特別稀缺的問題，唯一點在於需求多了漲價，解決方案就是儘量少用，和解決銀成本高一樣。因此在尋求銦替代方案，但沒有太成熟。200GW HJT產能之前都不需要擔心銦的問題。
Q：與理想、鈞石相比，核心技術在哪？
A：真空裝置最難、價值裝置最高，有專利保護，目前有幾十個專利。
Q：HJT良率基本是多少？
A：今年提升明顯，98%以上，和perc一樣。下一步目標就是99%。
Q：給長電供應的是後道封裝封測裝置嗎？
A：封裝測試是長電的業務，邁為供的是封裝，沒打算做測試。希望未來價值量提升，全球龍頭份額高達75-80%，還有另一家也佔份額。長電封裝裝置仍然是海外裝置為主，邁為剛剛開始國產化替代。
Q：邁為為什麼匯入半導體領域？
A：都是鐳射技術平臺上的。很多技術可以遷移，比如絲網印刷用了運動控 制、視覺識別，OLED裝置上也用；光伏的鐳射開槽切割等等與半導體的表切也有技術相通之處。
Q：邁為研發為什麼快？
A：文化有關。老闆親自帶隊，鐳射是王總帶，真空是周總帶，與研發戰鬥在一塊，瞭解專案進度，快速決策。
Q：HJT訂單確認收入情況？
A：現在絲網印刷比HJT還大，但HJT正在上量，明年可能打平甚至超過。直至二季度都完全是絲網印刷的貢獻，直至三季度通威合肥200MW訂單確認轉收入
1億。
Q：是整線招標還是分環節招標？
A：通威是分環節，但是由於我們的裝置優勢，投出來一條整線。新玩家傾向整線。
Q：HJT對應PERC哪一年？A：2015年，剛剛開始。
Q：愛康訂單給了邁為、捷佳各一部分，捷佳沒有資料，愛康是怎麼考慮的？
A：有早期戰略協議，長興產線中捷佳是置換了一條以前的demo線，我們是新增的訂單。
Q：降本方面有什麼努力方向？
A：裝置投資下降與拉大產能有關，轉換效率的提升也能降本。
此外還有銀漿用量的降低，HJT是220-230mg/片，有電池廠客戶有自己的理解，降到160，我們也有技術降到130。銀包銅也是一種路線。
電池片運營成本最高的是矽，55-60%，省矽也很重要。薄片化以後矽片也會降價。HJT都是板式裝置，天然對大和薄友好，把矽片做得又大又薄，省矽。今年通威和隆基報價標的厚度是1月175μm，最近是165μm了。但是由於Perc的結構問題，有厚度極限160μm。HJT方面，通威去年用150μm，華晟今年也是150μm轉140μm。華晟在嘗試120μm，日本已經有100μm。N矽片比P貴，因為N要求品質高，不然有雜質。目前邁為研究退火吸雜技術，提高矽片品質，進而提高轉換效率，最終促進NP同價。
矽片還有半棒半片技術，用半片元件端發起的技術，但是邁為的元件實驗室發現有切損（0.1%-0.2%）。此外電池片切片不同膜層應力不同，後期產生隱裂風險。但是可以處理，在矽片環節半片出貨，找回電池廠切損、消除隱裂風險。大矽片切薄難度高，半棒後切片容易，高測在做切半棒的裝置。這個技術剛剛開始，還沒有形成全行業趨勢，現在還是HJT。
2022下半年，邁為預測向perc單W成本貼近。
