編者按
瀰漫性內在腦橋膠質瘤幾乎沒有什麼有效治療手段，而且由於腫瘤會擴散到大腦各個重要區域，因而手術治療也不可行。本期研究探尋“FLASH”放射治療對瀰漫性內在性腦橋膠質瘤(DIPG)中單細胞免疫基因組學的影響。
正文
背景
瀰漫性內源性腦橋膠質瘤(DIPG)是免疫惰性腫瘤，中位生存期9-15個月。放射治療(RT)是DIPG的主要治療方法，但在高劑量範圍內與腫瘤微環境(TME)的免疫耗竭有關。FLASH或超快劑量率RT，代表了一種新的消融技術，可以在減少腫瘤負荷的同時避免TME免疫反應。在這裡，我們展示了用 FLASH、常規劑量率 RT(CONV)或無RT(SHAM)治療DIPG腫瘤的單細胞免疫分析。
方法
小鼠H3.3K27M突變體DIPG細胞被立體定向注射，15 天后透過磁共振成像(MRI)確認腫瘤誘導。攜帶DIPG的小鼠被隨機分配到三個治療組（n = 4/組）、FLASH、CONV或SHAM之一。沒有腫瘤（NML）的第四組被包括作為陰性生物對照。對於FLASH組和CONV組，使用改進的直線加速器以90Gy/秒和2Gy/分鐘的劑量率向腦幹輸送15Gy的電子RT。RT後四天，收穫小鼠腦幹、勻漿、染色CD45並用對每組特異的標籤抗體進行標記。使用 10X Genomics鉻單細胞3'平臺分離和測序CD45+ 免疫細胞。在使用CellRanger和預設引數對讀取進行處理和對齊後，在遵循Seurat R包實施標籤解複用、無監督聚類和下游分析之前，對資料進行質量檢查和過濾。基於非引數Wilcoxon秩和檢驗評估的差異表達。關鍵基因由基於bonferroni校正和|avg log2FC|的調整後的p值<0.05確定>0.8。
結果
圖1
圖2
初步分析確定了15個具有不同CD45免疫表型的簇（圖1）。標籤抗體（治療組）的差異基因表達分析揭示了14個差異表達關鍵基因的簇，其中3個簇在DIPG中與NML相比上調，2個簇在輻射腫瘤中與SHAM和NML相比上調（圖2）。值得注意的是，分析表明，與所有其他組相比，FLASH中的單個叢集上調（p=3.07E-171）。由每個簇代表的特定免疫表型的進一步解卷積正在進行中。
結論
我們的初步分析顯示，與NML相比，DIPG腫瘤之間存在不同的免疫反應。我們還發現了幾個免疫細胞亞群，這些亞群是用CONV或FLASH處理的DIPG與未輻照樣品相比所獨有的。最值得注意的是，我們確定了一個單獨的FLASH獨有的免疫細胞亞群，表明FLASH在鼠DIPG中引發了獨特的免疫反應。
原文連結：https://jitc.bmj.com/content/9/Suppl_2/A100
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