1. 深紫外發光光譜技術簡介
深紫外發光光譜是研究半導體材料物理性質的一種重要手段。通常所說的半導體發光是半導體中電子從高能態躍遷至低能態時，伴之以發射光子的輻射覆合。我們利用深紫外鐳射器產生的鐳射或電子槍發出的電子束到達樣品室併入射到樣品表面，樣品發出的熒光訊號被收集進入單色儀，該訊號經單色儀分光後由探測系統探測，計算機對探測訊號進行採集並形成最終的深紫外發光光譜。
2. 供測量的光譜型別及其應用範圍
光致發光（PL）：使用飛秒鐳射激發樣品，波長：（1）177nm；（2）210nm-330nm可調；（3）345nm-495nm可調；（4）690nm-990nm可調。PL光譜可以實現穩態光譜和瞬態（時間分辨）光譜的測量。穩態光譜可用於研究半導體材料的基本物理性質，如晶體結構、電子態、聲子結構、雜質、缺陷、激子複合機制等。瞬態光譜採用條紋相機探測，既可以得到不同時刻的時間分辨光譜，也可以得到某一波長處的熒光衰退曲線，時間解析度為2ps。可以用來研究半導體材料載流子動力學性質。
陰極熒光（CL）：使用電子束激發樣品，最大能量30keV。可用於表徵寬禁帶半導體材料性質。波長掃描範圍：170nm-800nm。
3、深紫外發光光譜測試裝置介紹：
1. PL光譜
技術引數與能力：
波長：690nm-990nm，345nm-495nm和210nm-330nm三個波段內可調，最小鐳射波長可達177nm
波長掃描範圍：170nm-800nm
溫度範圍：8K-350K
時間解析度(瞬態光譜)：2ps
狹縫、步長及鐳射功率視具體情況而定
2. CL光譜
技術引數與能力：
電子束能量：最高可達30keV
波長掃描範圍：170nm-800nm
溫度範圍：8K-350K
狹縫和步長視具體情況而定
-------------米格實驗室
