國內首家！46所成功製備出HVPE氧化鎵同質外延片

日前，46所成功製備出HVPE氧化鎵同質外延片，填補國內空白。

46所HVPE研發團隊根據多年的HVPE技術基礎，設計並搭建實驗平臺、調整流場結構和探究複雜的生長規律，經過不懈努力，突破了HVPE同質外延氧化鎵過程中氣相成核和外延層質量控制等難題，成功製備出氧化鎵同質外延片樣品，關鍵技術指標與國外先進水平相近。

氧化鎵作為新型超寬禁帶半導體材料，具有優良的物理化學特性，在高功率器件領域有著重要應用。雖然我國國內氧化鎵體單晶製備技術已經取得了顯著進步，但由於國內氧化鎵外延厚膜技術仍存在空白，限制了氧化鎵器件的發展。

46所作為目前國內首家掌握HVPE 氧化鎵同質外延技術的科研單位，HVPE 氧化鎵同質外延技術達到了國內領先水平，為相關器件研究提供了有力的技術支撐。