在給電腦購買記憶體的時候，大多數人會注重看記憶體的容量和頻率引數，一般來說容量越大越好，頻率越高越好。當然，這兩個引數很重要，但還有另一個重要引數往往被大家忽略，它便是記憶體時序。那麼，什麼是記憶體時序，它對記憶體效能又會有哪些影響？本期科普，閃德君就帶大家一起來認識認識這一記憶體引數。
時序會對記憶體晶片上各種常見操作之間的延遲產生影響，如果延遲超過一定限度，就會影響到記憶體的效能。一句話來概括，記憶體的時序是對記憶體在執行其各種操作時可能經歷的固有延遲的描述。
記憶體的時序是以時鐘週期來衡量的，大家可能在記憶體條的產品頁面上看到一串由破折號分隔的數字，比如16-18-18-38，這些數字便被稱為記憶體時序。本質上來講，由於它們代表了延遲，所以時序自然越低越好。這四個數字代表了所謂的 「主要時序」，對延遲的影響最為顯著。
記憶體時序4個數字對應的引數分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時間週期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的引數」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間」；tRP（RAS Precharge Time）表示「記憶體行地址選通脈衝預充電時間」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址啟用的時間」。
看完上面這些，大家是不是更迷惑了？別急，下面我們舉個簡單例子來講講。
我們可以把記憶體儲存資料的地方想象成一個網格，且每個方格都儲存著不同的資料，CPU需要什麼資料，就向記憶體發出相應的指令。
比如CPU想要C3位置的資料。記憶體在接收到CPU的指令後，要先確定資料具體在哪一行，時序的第二個引數tRCD就代表這個時間，意思是記憶體控制器接收到行的指令後，需要等待多長時間才能訪問這一行。
記憶體確定了資料所在的行之後，要想找出資料，還得確定列。時序的第一個數字也就是CL，就表示記憶體確定行數之後，還要等待多長時間，才能訪問具體的列。
確定了行數和列數之後，就能準確找到目標資料，所以CL是一個準確的值，任何改動都會影響目標資料的位置，所以它在時序中是最關鍵的一個引數，對記憶體效能的發揮有著舉足輕重的作用。
記憶體時序的第三個引數tRP，就是已經確定了一行，還要再確定另外一行所需要等待的時間。
第四個引數tRAS，可以簡單理解成記憶體寫入或讀取資料的一個時間，它一般接近於前三個引數的總和。
所以，在保障穩定性的前提下，記憶體時序越低越好。但我們知道現在有不少記憶體條都能夠超頻，而高頻率和低時序相互矛盾，一般頻率上去了，時序就得有所犧牲，要想時序足夠低，頻率又很難拔高。比如今年各大儲存廠商釋出的DDR5記憶體，頻率確實升上去了，但時序也相對DDR4記憶體來說要高上不少。
