三星表示下一代DDR6可12800Mbps，GDDR7 32Gbps

最近國外媒體分享了2021年三星技術日的一些公開資訊，透漏了一些未來記憶體的技術以及路線圖，不過簡報照片多數是不能公開的，但仍有一些相關資訊分享。

DDR5 記憶體目前才剛隨著Intel 12代進入市場，不過隨即缺貨，基本上要到真的主流且多數平臺使用預計要到2023年。 雖還有兩年時間，但三星已經談到了下一代的DDR6記憶體，將會帶來兩倍的速度與頻寬。

DDR6 標準還未被JEDEC正式化，不過預設規格可能會在12800 Mbit/s，但這只是初階開發階段，未來超頻儲存器模組可能會達到17000 Mbit/s。

DDR6 每個模組將會有4個通道，是 DDR5 的兩倍，記憶體 bank 數量會增加到64個，是 DDR4 標準的四倍。

關於GDDR6以及之後標準的規格三星也透漏了一些資訊，三星正在開發GDDR6+的標準，提供高達24Gbps的速度，相比目前GDDR6提供的18Gbps要提升33%，該標準將會採用Samsung 1z nm製程。

另外GDDR7標準也在路線圖上，不過目前沒有任何可用日期，GDDR7將會增加到32Gbps的速度，並有實時錯誤保護功能，除此之外也沒有更多的細節。

來源訊息還稱三星將會在2022年第二季度開始生產HBM3記憶體。