MOCVD英文全稱Metal-organic Chemical Vapor Deposition，中文意思為金屬有機化合物化學氣相沉積，是在氣相外延（VPE）的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。MOCVD作為LED晶片生產中核心裝置，用於在藍寶石（Al2O3）襯底上外延生長，製作外延片。
根據權威網站介紹，MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) is a technology used to deposit ultra-thin, single crystal layers onto a semiconductor wafer. MOCVD is the most important manufacturing process for III-V compound semiconductors, especially those based on gallium nitride (GaN). MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）是用於在半導體晶圓上沉積超薄單晶體層。MOCVD對於半導體III-V化合物是最重要的製造工藝，尤其是這些基於氮化鎵的半導體。
MOCVD作為LED外延片關鍵裝置，不易製造且價格高昂。目前市場上主流裝置商為英國Aixtron愛思強，美國Veeco維易科，國產裝置商為中晟，中微半導體。
MOCVD技術始於20世紀50年代中期，由於早期的HVPE控制技術不佳（HVPE英文全稱為Hydride vapor-phase epitaxy，中文意思是氫化物氣相外延），不能製造量子阱，超晶格等結構的生長，在80年代逐漸被MOCVD技術所取代。
目前主要有三種途徑生產外延片，HVPE，MBE和MOCVD。對比於前面提到的HVPE和MOCVD，MBE很難運用到商業化生產中（MBE英文全稱為Molecular-beam epitaxy，中文意思是分子束外延），首先MBE生長速度緩慢導致外延片生長週期長，產能低，其次MBE維護成本高。在這三種生產途徑中，MOCVD佔主流技術路線。
MOCVD生產過程工藝複雜，引數眾多，其中最重要的是優良率和均勻性。在生產過程中不僅涉及多種氣體，而且涉及不同溫度區域和生長速率。
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