MT60B1G16HC-48B:A美光記憶體顆粒FBGA程式碼D8BNK
美光科技宣佈已開始批量出貨全球首款基於 176 層 NAND 技術的通用快閃記憶體 UFS 3.1 移動解決方案。該產品為高階旗艦手機量身打造,與前代產品相比可實現高達75%的順序寫入和隨機讀取效能提升 ,從而解鎖 5G 潛力 — 只需 9.6 秒即可下載一部2小時的4K 電影。
美光176層 NAND 的緊湊尺寸,完美契合移動裝置的大容量和小體積需求。此前,美光於 6 月宣佈已出貨搭載 176 層 NAND 的 PCIe 4.0 SSD,為專業工作站和超薄筆記本提供高效能、低功耗的靈活設計選擇。如今,美光將176 層NAND技術和效能成功應用於智慧手機,帶來更快的手機響應體驗,實現應用程式之間真正的多工處理。
美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的混合工作負載效能相比上一代產品提升了 15%,使手機啟動和切換應用的速度更快,從而打造更為流暢的移動體驗。美光將 176 層 NAND 技術應用於 UFS 3.1,克服了儲存瓶頸,使手機使用者盡享 5G 高速通訊。
榮耀終端有限公司產品線總裁方飛表示:“榮耀全能旗艦 Magic3 系列將率先搭載美光推出的業界首款 176 層 NAND 技術 UFS 3.1。該款高效能 3D NAND 解決方案將為榮耀手機使用者在同時多應用使用,以及高速下載、儲存等場景帶來快捷流暢的使用體驗。”
美光 176 層移動解決方案具有以下優勢:
• 更強的效能:美光 176 層 UFS 3.1 解決方案相比上一代產品的順序寫入速度提升 75%,隨機讀取速度提升 70%,大幅提升應用效能。
• 更快的下載速度:高達 1,500 MB/秒的順序寫入速度意味著下載一部 10 分鐘的 4K (2,160 畫素解析度) 網路影片只需 0.7 秒 ,而下載一部 2 小時的 4K 電影只需 9.6 秒。
• 更流暢的移動體驗:與上一代產品相比,美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的優秀效能將響應延遲縮短約 10%,確保了更可靠的移動體驗。
更持久的裝置壽命:美光 176 層移動解決方案可寫入的總位元組數比上一代產品高出一倍 , 這意味著可儲存之前兩倍的總資料量,而不會損害裝置的可靠性。即使是重度手機使用者,也會發現智慧手機的使用壽命大幅提升。
基於美光 176 層分立式 NAND 的 UFS 3.1 移動解決方案現已公開出貨,提供 128GB、256GB 和 512GB 三種容量。
MT40A512M16TB-062E:J D9WWP
MT40A512M16TB-062E:R D8BPK
MT40A512M8RH-083E:B D9TGG
MT40A512M8RH-083E IT:B D9TGX
MT40A512M8SA-062E:F D9XRZ
MT40A512M8SA-062E AAT:F D9XST
MT40A512M8SA-062E AIT:F D9XSD
MT40A512M8SA-062E AUT:F D9XSQ
MT40A512M8SA-062E IT:F D9XSC
MT40A512M8SA-075:F D9WTD
MT40A512M8WE-075E:E D9WQL
MT40A8G4BAF-062E:B D9XQZ
MT40A8G4CLU-062H:E D9WFQ
MT40A8G4CLU-068H:E D9XDW
MT40A8G4CLU-075H:E D9VQN
MT60B1G16HC-48B:A D8BNK
MT60B2G8HB-48B:A D8BNJ
MT62F1536M64D8CH-031 WT:A D9ZMM
MT62F1536M64D8CH-036 WT:A D9XVM
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B D8CCP
MT62F1536M64D8CL-026 WT:B D8CCN
MT62F1536M64D8CL-026 WT ES:B Z8CCM
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B D8BFC
MT62F1G32D4DS-031 AUT:B D8BFF
MT62F1G32D4DS-031 FAAT:B D8CBW
MT62F1G32D4DS-031 IT:B D8BLC
MT62F1G32D4DS-031 WT:B D8BFH
MT62F1G32D4DS-031 WT ES:B Z8BFG