HMA84GL7AFR4N-VK TF AC記憶體條HMA84GL7AMR4N-TF T2 AD
日前，SK海力士公佈3D NAND技術路線圖，此技術路線圖展示在2030年3D NAND將達到800多層的堆疊高度。在不久以前，SK海力士宣佈推出業內首款128層TLC 4D NAND Flash，並開始批次生產，容量為1Tb。SK海力士正在開發下一代176層4D NAND，將透過技術優勢，持續增強其在NAND Flash市場上的競爭力。此外，SK海力士和西部資料同樣看好分割槽SSD，即根據不同的目的將其分為不同的區域。SK海力士認為分割槽技術能夠降低67%的寫入放大，25%提高讀取延遲。
西部資料方面，目前正在量產64層3D NAND，和東芝儲存採用Bics3架構，採用Bics4架構的96層產品也已經開始量產，在本季度，96層產品的產量有望超過64層產品。西部資料介紹，128層產品將採用Bics5架構，將會於2020年面世。且64層產品過渡到96層產品，在製造成本上增加了60%，從96層轉變到128層預計將會增加15%生產成本。雖然每片晶圓的製作成本有所上升，但是平均bit的成本是降低的。
HMAA8GR7A2R4N-UL T2 AA
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HMAA8GR7A2R4N-VN TF AC
HMA84GL7AFR4N-TF
HMA84GL7AFR4N-UH TE AA
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HMA84GL7AFR4N-VK T3 AC
HMA84GL7AFR4N-VK TF AA
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HMA84GL7AMR4N-TF TE AA
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HMA84GL7AMR4N-TF DNA
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