引言
發展的關鍵是使用迴圈蝕刻工藝，包括“幹”等離子體和“溼”溶液步驟，以減少表面缺陷能級干擾合成基金剛石的效能。認為，用迴圈混合蝕刻來固定反應離子蝕刻引起的ⅲ族氮化物缺陷的方法，有可能擴充套件到微型發光二極體顯示器件的開發，在這種器件中，畫素因為畫素側壁上存在高密度表面狀態。"
用於交流發光二極體的外延材料(圖1 (a)交流電-LED的電路配置。(b)單晶整合LED和SBD示意圖。(c)製作的ac-led模具的顯微照片。)來自“一家主要的發光二極體晶圓製造商”提供的商業現貨產品。深度為4.5米的電感耦合等離子體蝕刻為SBD和發光二極體建立了隔離檯面裝置。
圖1
帶有遠端磷光體的交流發光二極體燈的板和原型
進一步的電感耦合等離子體蝕刻暴露了深度為1.2米的發光二極體的n-氮化鎵歐姆接觸區域單相美國線電壓。根據各種測試，橋路的交流-DC轉換效率估計為89%。20mA注入。在100伏偏壓下，反向洩漏小於10安。測量結果清楚地表明，這項工作中開發的迴圈混合蝕刻配方將ICP蝕刻的GaN表面恢復到器件質量，並有效地抑制了Ni/GaN肖特基結的反向洩漏。”進一步建議氫氧化鉀處理去除氮化鎵中的氮空位，降低表面缺陷施主密度。微發光二極體畫素測量值為390 mx325 m，0.1mA電流的開啟電壓為2.56V，在3.8V和25mA注入下，外量子效率為41.5%。製作了橫向尺寸為2.12mmx2mm的單片交流發光二極體電路，該單片電路集成了28個級聯的微型發光二極體和一個8個肖特基二極體的橋式整流電路。橋接電路在每個分支中使用兩個單刀雙擲開關來處理更高的電壓。SBD有3個交叉的肖特基接觸指，寬20米，間隔20米。
橋接電路佔器件面積的11%。在每個分支中放置兩個肖特基二極體可以實現高達240伏的整流電壓，這應該足以實現的DC轉換
晶片用導熱膠附著在銅散熱器上。金線將器件連線到封裝的外部引線。晶片封裝在高折射率矽樹脂中，帶有透明的半球形塑膠蓋。然後，該裝置被安裝在印刷電路板上，並放置在帶有遠端磷光板的燈具中，目的是產生約5000千白光。交流發光二極體元件承受110伏電壓均方根(rms) 60Hz功率。
測量的均方根電流為20.6毫安，功率因數約為82%。發光效率為89lm/W。研究人員估計，在120VAC下，SBDs的熱負荷為0.28W，佔LED總功率的9.2%。研究人員評論說:“這種功率損失與通用電氣技術公告中報道的緊湊型熒光燈中使用的無功鎮流器相當(約10%)。雖然白熾燈在黑體輻射模式下工作並且不具有任何驅動器以及相關的功率損耗，白熾燈的發光效率小於本文報道的AC-LED燈的1/5。
