芯研所1月28日訊息，去年3月份，Intel新上任的CEO基辛格宣佈了IDM 2.0戰略，其中就包括大手筆投資新的晶圓廠，並快速升級CPU工藝，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工藝還是基於FinFET電晶體的，從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻工藝。
20A、18A工藝中的A代表埃米，是首個進入埃米時代的工藝，差不多等效於其他廠商的2nm及1.8nm工藝，而且20A開始放棄FinFET電晶體，擁有兩項革命性技術，RibbonFET就是類似三星的GAA環繞柵極電晶體，PoerVia則首創取消晶圓前側的供電走線，改用後置供電，也可以最佳化訊號傳輸。20A工藝在2024年量產，2025年則會量產改進型的18A工藝，這次會首發下一代EUV光刻機，NA數值孔徑會從現在的0.33提升到0.55以上。
芯研所採編
Intel的先進工藝未來不僅是自己用，還要對外提供代工服務，要跟臺積電搶市場。在今天的財報會議上，Intel CEO基辛格提到了18A工藝已經有三個客戶，而且是美國軍方主導的RAMP-C防禦計劃中的，具體名單現在保密。
預計Intel在2025年量產18A工藝的時候，臺積電也會進入2nm節點，這也是臺積電工藝的一次重要升級，臺積電將在2nm節點推出Nanosheet/Nanowire的電晶體架構並採用新的材料。
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