三星年底推出224層快閃記憶體：速度將提升三成

相比較過去的機械硬碟，固態硬碟近年來的發展速度可以說用火箭來形容，尤其是NAND快閃記憶體更是如此。而世界著名的NAND快閃記憶體製造商三星就在近期表示將會在今年下半年推出最新的第八代V-NAND快閃記憶體，層數達到了224層，而這也是量產快閃記憶體首次超過200層。

三星目前的第七代V-NAND快閃記憶體為176層，而美光同樣為176層，不過時間比三星更早。更高的堆疊讓快閃記憶體的速度有著一定的提升，相比較目前的第七代快閃記憶體，三星第八代快閃記憶體的效能提升了30%，而且效率也有30%的提升。

不過更高的快閃記憶體堆疊可能會影響快閃記憶體的壽命，只不過現在快閃記憶體的壽命遠遠超過消費者的日常應用。