來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編譯自euractiv，謝謝。

目前，高科技半導體的生產主要限於亞洲，但有八家半導體工廠正在籌建中，英特爾也希望在歐洲生產尖端晶片。

英特爾德國負責人Christin Eisenschmid在接受 EURACTIV 採訪時表示，這些生產設施將使用“最新技術，即 2 奈米或更小”來生產半導體。

由於持續的半導體供應瓶頸給歐盟公司造成數十億歐元的損失，歐盟委員會已宣佈擴大歐洲產能是一項地緣戰略必要性。

此外，它將2奈米標記作為擴大歐洲生產能力的目標，以避免在未來技術的競爭中落後。因此，英特爾的雄心壯志與歐盟的戰略目標一致。

半導體被認為是數字化轉型的支柱，最小的微晶片用於基於人工智慧的應用、自動駕駛和物聯網 (IoT) 等未來技術。

根據諮詢公司 Kearney 的一項研究，未來幾年歐洲對尖端半導體的需求將迅速增長——從目前的 19% 增加到 2030 年的 43%。同時，對半導體的整體需求也將超過一倍。

“因此，未來真正取決於新的處理器技術，”Eisenschmid 強調說。

英特爾的投資攻勢

在該領域領先數十年的英特爾現在已經將部分市場份額拱手讓給了三星和臺積電等能夠生產更多創新產品的競爭對手。

“目前，英特爾無法生產最先進的尖端半導體，因為他們錯過了向最新一代半導體的飛躍，”智庫 Bruegel 的研究員 Niclas Poitiers 告訴 EURACTIV。

Poitiers 質疑英特爾能否在短時間內建成設想的生產設施。他補充說，在這種情況下，這家美國公司的公告也可以被視為“投資誘惑”。

面對越來越大的壓力，英特爾在新任執行長帕特里克·蓋爾辛格的領導下，開始了廣泛的投資活動，以收復與競爭對手的失地。

週五（1 月 21 日），這家晶片製造商宣佈計劃在美國俄亥俄州投資約 200 億美元，到本世紀末將增至 1000 億美元。

補貼競賽

關於美國的投資，英特爾補充說，其計劃投資至少部分與政府提供的補貼水平有關。

英特爾還要求提供數十億美元的補貼，以擴大其在歐洲的半導體工廠。其約 40% 的歐盟投資將由公共部門提供資金，相當於約 320 億歐元。

“40% 大約是縮小與亞洲存在的融資缺口所需的金額，”英特爾德國負責人 Eisenschmid 說。

亞洲的生產和工資成本要低得多，而與此同時，亞洲國家也提供更高的國家補貼。

歐盟競爭事務專員瑪格麗特·維斯塔格（Margrethe Vestager）已在 11 月警告說，國際層面可能會出現“補貼競賽”。

Eisenschmid 認為，與 Vestager 的觀點相反，這在歐洲更像是一場“爭奪技術領先地位和競爭力的競賽”，而不是一場補貼競賽。

政府資金缺口？

例如，與法國和義大利一樣，德國是該投資的潛在候選國之一，他們已於 9 月宣佈為半導體行業提供 30 億歐元的補貼計劃。然而，即使是歐洲最大的經濟體也遠未提供英特爾所需的 320 億歐元——至少目前如此。

儘管這家美國公司打算在未來 10 到 15 年內分配投資，但提高所需金額仍會給歐盟成員國帶來相當大的融資困難。

此外，歐洲國家援助法也可能構成障礙。儘管在所謂的“歐洲共同利益重要專案”（IPCEI）框架內的投資補貼原則上是可能的，但它們與相關投資的創新潛力相關。

由於歐洲旨在將晶片生產帶回整個價值鏈以增強其主權，因此這些投資不僅僅基於創新，因此可能超出與 IPCEI 所需創新的聯絡。

然而，歐盟的一項新的法律法案可以糾正這種情況，因為歐盟委員會目前正在制定歐盟晶片法案，以將半導體行業帶回歐盟。

歐盟委員會不僅為自己設定了到 2030 年將歐洲在半導體生產中的國際市場份額增加一倍以上達到 20% 的目標，而且還計劃放寬對半導體行業的補貼規則。這可能為國家投資開闢新的迴旋餘地。

Christin Eisenschmid對任何情況都充滿信心。她說，與各政府代表的討論“非常有希望”。

“與我們合作並建立夥伴關係非常有興趣，”她告訴 EURACTIV。

對決臺積電2nm ，Intel 1.8nm製程找到三大客戶

於先進製程上，臺積電近幾年如日中天，但亦別忘了Intel依然是最先進的半導體公司之一，未來四年其要掌握五代CPU製程，其中相當於1.8nm的18A製程將於2025年量產。

去年3月，Intel新上任的執行長Pat Gelsinger宣佈了IDM 2.0戰略，其中即包括大手筆投資新的晶圓廠，並快速升級CPU製程，分別是：Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代製程仍是採用FinFET電晶體，從Intel 4開始全面擁抱EUV微影製程。

20A、18A製程中的A代表埃米，為首個進入埃米時代的製程，差不多等效於其它廠商的2nm、1.8nm製程，且20A開始放棄FinFET電晶體，擁有兩項革命性技術：RibbonFET即是類似三星GAA環繞式閘極電晶體；PoerVia則首創取消晶圓前側的供電走線，改用後置供電，亦可以最佳化訊號傳輸。

20A製程於2024年量產，2025年則會量產改良型的18A製程，此次會首發下一代EUV極紫外光微影機，NA數值孔徑會從現在的0.33提升至0.55以上。更重要的是，Intel先進製程未來不僅是自己用，還要對外提供代工服務，要與臺積電搶市場。

於最新財報會議上，Pat Gelsinger提及18A製程已經有三個客戶，且是美國國防部主導的RAMP-C防禦計劃中的，具體名單目前保密。

預期Intel於2025年量產18A製程之時，臺積電亦會進入2nm製程，此亦為臺積電製程的一次重要升級，將推出Nanosheet/Nanowire的電晶體架構並採用新的材料。

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