S29GL01GS10TFI023快閃記憶體晶片S29GL01GS10TFI010

西部資料(Western Digital；WD)宣佈四日市工廠進行生產調整，減少晶圓投入的數量，且新建的第六工廠(Fab6)原定引進的新裝置，也將延至2019年春季再決定是否遷入。由於新工廠裝置延後，將影響生產計劃，預計2019年儲存器出貨量與原定計劃相比將減少10~15%。據悉，西部資料與東芝儲存器共同經營的Fab 6工廠，於2018年9月正式落成，主要是量產最新研發的96層3D NAND，這次西部資料宣佈延後匯入新裝置，應是第二期裝置，第一期已於落成時匯入。不過，這次西部資料宣佈四日市工廠將減少投入晶圓，可能是出於單方面決定，因為東芝儲存器並未做出上述宣佈。

西部資料減產和新工廠裝置匯入延後，最主要的因素是NAND Flash市場供過於求。2018年三星、東芝、西部資料、SK海力士、美光/英特爾等不斷提高64層3D NAND產出量，同時加快96層3D NAND技術的推進。據悉，西部資料最新採用96層BiCS4的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達1.33Tb，相較於64層3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，這使得總GB當量的NAND Flash供應增加。在需求方面，雖然三星、蘋果、華為等高階旗艦機容量向512GB升級，但是全球智慧型手機出貨放緩，尤其是中國市場，2018年累計9個月出貨已同比下滑16.8%。美國的IT大型企業資料中心與去年相比，今年裝置投資的金額也沒有明顯成長，導致2018年NAND Flash市場供過於求。

截止到10月底，2018年NAND Flash價格跌幅已超過了60%，而第四季度又是傳統的淡季，預計NAND Flash價格恐進一步下滑。西部資料工廠減產的原因也主要是因為NAND Flash價格跌幅較大。

S70GL02GT11FHB010

S70GL02GT11FHV013

S29GL02GS12TFSR20

S70GL02GS11FHI010

S70GL02GS11FHA010

S70GL02GS12FHVV20

S70GL02GS12FHVV23

S70GL02GS12FHIV10

S70GL02GS12FHIV13

S70GL02GS12FHBV20

S70GL02GS11FHI023