近日，東京工業大學的金正煥助教和細野秀雄榮譽教授等人開發出了一種可以塗布製造的p型半導體。透過混合兩種鈣鈦礦型鹵化物來調整電流流動情況。製備出具備高效能的IGZO（銦鎵鋅氧化物，n型氧化物半導體）和薄膜電晶體（TFT）。
混合兩種鈣鈦礦型鹵化物，分別是具有二維結構的“PEA2SnI4”和具有三維結構的“FASnI3”。這兩種物質透過製造核殼結構，既能實現了高載流子遷移率，又能實現切換功能。開關的閾值電壓約為5伏特。
科學家稱，透過讓p型半導體和IGZO構成TFT，製作的互補金氧半導體（CMOS）元件可實現高載流子遷移率。如果能使鈣鈦礦型鹵化物在大氣中穩定下來，將有望在柔性電子等領域得到發展。
注：上文提及的細野秀雄正是IGZO的發明人，他在2004年在《自然》雜誌上首次報道了柔性透明IGZO薄膜電晶體，載流子遷移率在10 cm2 V-1 s-1左右，受到了研究機構和工業界的關注。由於這一材料電子遷移率更高，能夠更好地實現高解析度、高寬度、窄邊框、低功耗等顯示效能，因此有望取代非晶矽作為新一代TFT的半導體材料，在高階筆電和電競顯示市場具備明顯優勢。
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