智慧手機和數碼相機總是說採用什麼樣的CMOS感測器，好像很重要。本文就是要介紹CMOS中的MOS從何而來。
1959年，貝爾實驗室的M. M. (John) Atalla（約翰·阿塔拉）和Dawon Kahng（江大原）開發出了第一款成功的絕緣柵場效電晶體（IGFET），它能克服表面態效應使電場能夠深入半導體材料，這是肖克利等人長久以來夢寐以求的。在研究熱生長矽氧化層的過程中，他們發現在金屬層(M–柵)，氧化層(O–絕緣)和矽層(S–半導體)的結構中,這些“表面態”會在矽和其氧化物的交接處大大降低。這樣, 加在柵上的電場能透過氧化層影響矽層，這就是MOS名稱的由來。由於原始的MOS器件速度偏慢，且未能解決電話裝置中所面臨的問題，這項研究被停了下來。但江大原在其1961年的一則備忘中提到了其易於製造和在積體電路中應用的可能性。
江大原MOS專利中的插圖
而仙童和美國無線電公司（RCA）的研究人員也意識到了這些優點。1960年卡爾·蔡寧傑（Karl Zaininger）和查爾斯·默勒在RCA製造出了MOS電晶體，薩支唐(C. T. Sah) 也在仙童造出了帶控制極的MOS四極管。接著，1962年弗雷德·海曼（Fred Heiman）和史蒂文·霍夫施坦（Steven Hofstein）在RCA做出了整合16個電晶體的實驗器件。
RCA的16電晶體積體電路
MOS積體電路的共同發明人之一史蒂文·霍夫施坦，1962
MOS電晶體的導通區域要麼是P型（使電晶體成為P溝道器件），要麼是N型（使電晶體成為N溝道器件）材料。N型更快，但更難生成。MOS器件在1964年進入商業市場。通用微電子（General Microelectronics）和仙童分別推出了P溝道器件GME 1004和FI 100，用於邏輯和開關應用。RCA則推出了用於訊號放大的N型電晶體3N98。
仙童FI 100，P型MOS開關電晶體
由於MOS器件比雙極性器件佔用體積小、能耗低，當今99%以上的微晶片使用MOS電晶體。而達到這麼通用的地步，花了幾十年的時間。
