近日，朗迅科技參與國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項 —— GaN基新型電力電子器件關鍵技術綜合績效評價會議，至此，該專案順利結題。
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“戰略性先進電子材料”重點專項——GaN基新型電力電子器件關鍵技術由西安電子科技大學敖金平教授牽頭，總專案經費5156萬元，其中中央財政經費1489萬元。
該專案由西安電子科技大學、南京大學、深圳大學、中國科學院微電子研究所、半導體研究所、中山大學、中科院奈米技術與奈米仿生研究所、香港科技大學深圳研究院、揚州揚傑電子、江蘇能華微電子、西安交通大學和杭州朗迅科技有限公司等13家大學、科研院所及高科技企業聯合申請，彙集了國內GaN基電力電子器件研究的主要優勢單位和骨幹研究力量。
該專案包括四個子課題，其中，課題四“高頻高效率超小型GaN基功率開關電源模組”參與單位為深圳大學、西安交通大學和杭州朗迅科技有限公司。該課題由深圳大學劉新科博士牽頭，朗迅科技組織包括徐振董事長在內的15人科研團隊參與研發，課題總投資1428萬元，其中中央財政經費161萬元，朗迅科技自籌投入1200萬元。課題四主要研究GaN器件動態導通電阻退化機理，發展相應退化抑制技術；突破適用於10MHz電源模組的新型高頻軟開關拓撲與控制技術，掌握10MHz DC-DC電源模組的整合技術與動態電阻穩定性控制技術，實現開關頻率10MHz、轉換效率>80%、輸出功率10W的超小型和高效率的開關電源模組。實現基於GaN功率開關器件的DC-DC 功率模組樣品：19-30V輸入電壓，5-12V輸出電壓，10MHz開關頻率大於80％的轉換效率，10W輸出功率。技術指標獲得第三方（工業和資訊化部電子第五研究所）驗證。發表論文9篇；申請發明專利9項。
寬禁帶半導體材料GaN具有禁頻寬度大、飽和電子漂移速度高臨界擊穿電場大、化學性質穩定等特點。因此，基於GaN材料製造的電力電子器件具有通態電阻小開關速度快、耐壓高、耐高溫效能好等特點。以氮化鎵（GaN）基電力電子器件在高壓、高轉換效率、高功率密度等應用方面具有明顯優勢，不僅可以滿足現代功率電子技術對高溫、高功率、高頻和抗輻射等惡劣條件的新要求，而且能顯著提升電源管理系統的效率和節省能源消耗，可實現系統小型化、輕量化，大大降低成本，在國家節能減排的戰略要求下具有十分重要的現實意義，助力於國家2030年碳達峰和2060年碳中和目標的實現，滿足“提能效”和“降能耗”兩大要求。GaN電力電子器件在行動式電子產品、無線通訊、新能源車輛、5G網路、開關電源、介面卡等領域有著非常廣闊的應用前景，發展氮化鎵電力電子器件也是國家解決“卡脖子”問題的一個重要內容！
在開關電源領域，如何使電源模組小型化、高頻化、高效化是一個難題，GaN基電力電子器件的出現給電源模組小型化提供了一個改進方向，對於推動我國產業轉型與高技術競爭力提升具有重要的技術支撐作用。隨著4G/5G的應用，行動通訊實現了數量吞吐量的空間增長，功率放大器是移動終端中耗電最高的器件之一。
朗迅科技參與研發的超小型高效電源模組適合用於4G/5G基站，可促進基站電源小型化與智慧化的發展。未來，朗迅科技將繼續在氮化鎵電力電子器件開展更深入的研究，強化“芯”實力！
