隨著半導體技術的突飛猛進，電子元件不斷趨向小型化、高速化發展，因為輕薄小巧的可穿戴元件以及可保有高效能且具有柔軟性的可撓式元件成為了最受矚目的電子科技產品。
近年來，為了將與開關元件相關的機能性材料的特性應用於穿戴式元件或可撓性元件，對於可貼附元件的需求不斷增加。另一方面，機能性氧化物Fe3O4具有電阻、磁化率等電/磁特性在-160℃左右發生顯著變化的特性，因此在開關元件方面的應用研究也持續推展中。
然而在製作Fe3O4薄膜時，通常是在氧化鎂等硬質基材上生長薄膜，除了可用於薄膜生長的基板種類有所限制之外，從基板上剝離薄膜並將其貼附到各種場所也很困難。不過科技在發展，目前相關技術已經有了新突破。
據外網報道，大阪大學產業科學研究所的研究人員已成功透過在薄片狀的六方氮化硼(hBN)上生長磁鐵礦(Fe3O4)薄膜的方式，製作出可貼附於任意材料上的Fe3O4薄膜。透過該工藝生長的Fe3O4薄膜不僅原子整齊排列，而且具有優異的相轉移特性，無論移動、貼附到什麼地方，其相轉移特性也不會劣化。
hBN上Fe3O4薄膜的剝離和貼上示意圖
報道稱，大阪大學的研究成果可望有助於Fe3O4以外的機能性氧化物薄膜的自由生長，使它們也有望應用於製作可貼附元件中，這對機能性氧化物在穿戴式、可撓式元件領域的應用開發具有重要意義。
研究成果釋出原址：https://www.sanken.osaka-u.ac.jp/hot_topics/topics_20211207/
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