來自英國蘭卡斯特大學物理和工程系的科學家們發表了一篇論文，詳細介紹了在UltraRAM大規模生產方面取得的突破。由於其極具吸引力的品質，研究人員已經對這種新型儲存器型別進行了幾年的思考，而最新的突破意味著在矽片上進行大規模生產可能指日可待。
UltraRAM被描述為一種儲存器技術，它結合了資料儲存儲存器（如快閃記憶體）的非揮發性和工作儲存器（如DRAM）的速度、能源效率和耐用性。重要的是，矽上的UltraRAM可能是通用的儲存器型別，有一天會滿足個人電腦和裝置的所有儲存器需求（包括記憶體和儲存）。
UltraRAM背後的基本科學是，它使用了化合物半導體的獨特屬性，常用於LED、鐳射器和紅外探測器等光子裝置，現在可以在矽上進行大規模生產。研究人員聲稱，在矽上的最新測試比在砷化鎵半導體晶圓上測試的技術更出色。
UltraRAM將提供至少1000年的資料儲存時間，其快速的開關速度和程式擦除迴圈的耐久性比快閃記憶體好100到1000倍。將這些品質加入到類似DRAM的速度、能源效率和耐久性中，這種新型的記憶體型別聽起來很難被科技公司所忽視。UltraRAM被設想為打破記憶體和儲存之間的鴻溝。因此，從理論上講，你可以把它作為一個一次性的解決方案來填補這些目前獨立的需求。在PC系統中，這將意味著你會得到一大塊UltraRAM，例如2TB，這將涵蓋你的記憶體和儲存需求。
看到UltraRAM的部署擴充套件到從伺服器到PC，再到智慧裝置、遊戲機等，也就不足為奇了。新的記憶體技術是否會快到足以將專業的快速記憶體型別擠到一邊，比如當代的GDDR和HBM技術，還有待觀察。UltraRAM的定價可能是另一個棘手的問題。如果它在價格上沒有競爭力，它的潛在採用率和變革力量將受到阻礙。這一經濟因素還有待觀察。
