日本國立分子科學研究所和富山大學的研究人員開發了一種新型OLED結構,可以在低電壓下執行——整個OLED執行電壓為1.5伏(當前OLED裝置常用的是4.5伏)。研究人員表示,這是針對亮度為100cd/m2的OLED裝置報告的最低工作電壓。事實上,研究人員還展示了177cd/m2的OLED。
研究人員表示,OLED在0.97V處的開啟電壓比在2.04 eV (608 nm) 處發射的光子的光能更小,因為OLED是基於與三重態-三重態湮沒相關的上轉換 (UC) 躍遷激發態的能量。
日本國立分子科學研究所和富山大學的研究人員開發了一種新型OLED結構,可以在低電壓下執行——整個OLED執行電壓為1.5伏(當前OLED裝置常用的是4.5伏)。研究人員表示,這是針對亮度為100cd/m2的OLED裝置報告的最低工作電壓。事實上,研究人員還展示了177cd/m2的OLED。
研究人員表示,OLED在0.97V處的開啟電壓比在2.04 eV (608 nm) 處發射的光子的光能更小,因為OLED是基於與三重態-三重態湮沒相關的上轉換 (UC) 躍遷激發態的能量。