11代酷睿，特別是高效能的H系列產品規模上市以來，PCI-E 4.0介面的SSD變得更為實用。然而，高效能主控+大容量DRAM快取的產品，如三星980Pro（OEM型號為PM9A1、西部資料Black SN850固然效能可人，但是價格和發熱著實不是主流產品可以承受的，入門及PCI-E 4.0產品必然大行其道，以西部資料SN750 SE為代表的DRAMless的產品開始大量湧現。
日系SSD大廠浦科特（Plextor），面向PCI-E 4.0時代，先後祭出了M10系列的M10P和M10eGN兩款產品，前者爭面子、後者爭市場，512MB產品價格分別只要600元和400元，價效比大殺四方。
M10eGN價效比的來源，一方面是DRAMless結構，另一方面是SMI（慧榮）SM2267XTV這款高效能低成本主控的貢獻。這一型號的主控與常見的SM2267XT有何淵源，SMI官方並未說明，預計與製程改進有關。512GB版本的M10eGN的PCB佈局公版相同，且僅留有一顆NAND晶片安裝位置；1TB版則採用了特殊的傾斜主控佈局、兩顆112層的BiCS5 3D TLC NAND顆粒。
從SMI公佈的SM2267XT的效能引數來看，它與Phison（群聯）E19T效能表現如出一轍，再加上作為鎧俠子公司的浦科特用BiCS5產品再合理不過，M10eGN與西部資料SN750 SE正面交鋒不可避免。
最大3600MB/s的讀效能，未超過PCI-E 3.0 x4介面的極限，而PCI-E 4.0 x4介面為M10eGN帶來的延遲減少，能夠在很大程度上彌補沒有DRAM快取的不足。
在11代酷睿H膝上型電腦上，M10eGN的PCI-E 4.0介面資訊未被正常識別，只有速度能夠證明其實際介面速度。
在CryctalDiskMark 7.0.0中，M10eGN的極限效能被充分發揮，達到了3600MB/s讀、2200MB/s寫速度，422k IOPS和400k IOPS的讀寫I/O效能，均接近標稱值。如果在PCI-E 3.0介面，讀速度峰值不超過3000MB/s，I/O效能損失更多。
極限讀寫吞吐速度測試是不講求讀寫佇列深度的，而恰恰是這一方面，對DRAM和SLC快取配備狀態十分敏感。佇列深度為4時，M10eGN基本達到效能峰值，特別是寫速度在32KB時即達峰，而讀速度峰值略晚；更小的資料塊讀寫峰值速度幾乎相同，這也是DRAMless的特點。
佇列深度2
佇列深度8
除了發揮穩定的效能，M10eGN的另一大穩定就是執行狀態了。和動輒8通道的高效能產品相比，處理4通道讀寫的2267TX有著更低的發熱和更穩定的效能發揮。實際測試中，即便沒有安裝散熱片，晶片表面溫度最高也僅有61℃，遠未達到過熱降速的程度；製程更高的NAND晶片也是如此，表面溫度僅35℃左右，整個SSD均無需專門散熱，就能保持穩定效能輸出。
在低溫的同時，M10eGN（512GB）的峰值功耗僅有1.7W，對膝上型電腦的續航表現提升很有幫助。
高性價比，再加上低溫低功耗，M10eGN在主流以及超薄膝上型電腦上有著廣闊的應用前景。只是由於前期預留PCI-E 4.0介面的膝上型電腦多數定位不低，因此除了為了容量，否則很難放棄原配的高效能SSD。因此，M10eGN更多的機會，是為老介面膝上型電腦升級，或預裝載新款主流機型上。對前者來說，更看重M10eGN在PCI-E 3.0介面下效能，使用新平臺、新技術的M10eGN毫不吃虧；對後者來說，PCI-E 4.0介面的噱頭，不錯的效能表現、超低的價格，也是足夠吸引人的。
