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https://www.nature.com/articles/s41467-021-27560-6
眾所周知，鈣鈦礦太陽能電池中的缺陷會影響效能，但它們準確的性質、位置和作用仍有待確定。在這裡，作者提出了對亞帶隙光電流的高靈敏度測量，以研究鈣鈦礦太陽能電池中的缺陷狀態。在採用聚三芳胺空穴傳輸層和富勒烯電子傳輸層的 p-i-n 鈣鈦礦太陽能電池中，至少可以識別出兩種缺陷狀態。透過比較具有不透明和半透明背接觸的器件，作者證明了光學干涉對鈣鈦礦太陽能電池中子帶隙外量子效率 (EQE) 的幅度和峰值位置的巨大影響。光學模擬表明，位於介面附近的缺陷是測量到光電流的主要原因。使用不同長度的光學墊片和半透明器件頂部的鏡子，可以精確調控光學干涉。透過比較實驗和模擬的 EQE 光譜，作者表明 p-i-n 器件中的亞帶隙缺陷位於鈣鈦礦-富勒烯介面附近。
關於缺陷與EQE的理解
【摘要截圖】
【精選N圖】
