HYMU80是一種初磁導極高的 FeNi軟磁合金。
這種材料具有較高的磁導率和較低的磁滯損耗,其遮蔽特性使其成為電子元件免受雜散或低頻磁場影響的理想選擇。
HYMU80在磁遮蔽應用中廣泛應用,隔離電子元件不受磁擾,從而達到最好的功能。
化學成分
0.02 C、0.50 Mn、0.35 Si、80.00 Ni、4.20 Mo、Bal 鐵
物理效能(退火態)
比重: 8.74 g/cm
密度:0.316lb/in3
平均比熱:0.1180 Btu/lb/°F
居里溫度:860 F(461 C)
熔距:2650°F(1472°C)
電阻係數: 21.1°C 580.0 micro-ohm-mm
70°F, 349.0 ohm-cir-mil/ft
導熱性:34.60 W/m/K
熱膨脹係數: 13 cm/cm/degree C x 10-6 between 30 & 204 C
彈性模量:
871°C退火處理後,受拉狀態 31.4*103 ksi
冷拉,受拉狀態 33.7*103 ksi
1177°C,氫退火,受拉狀態 33.3*103 ksi
機械效能(退火狀態)
硬度: ≤80
屈服強度:≥44,000 psi
抗拉強度:≥100,000 psi
延展率 E in 2":≥40%
應用
Hymu80主要用於製作變壓器芯體,帶繞環形線圈和迭片,以滿足相容性和重量要求。也用做遮蔽,保護電器元件不受雜散磁場的干擾。