我們都知道，手機記憶體（RAM）越大效能和體驗越好。但除了容量，還有很多因素會影響手機記憶體的效能。
手機內部的記憶體（RAM）和儲存晶片（ROM，又稱快閃記憶體）不要混淆哦
記憶體標準
如今手機記憶體主要以LPDDR4X和LPDDR5兩種標準為主。LPDDR5相比較於LPDDR4X，綜合場景續航提升大約10%，玩遊戲省電大約20%，微信影片和語音續航大約提升10%，一句話概括就是效能更強，功耗更低。實際上，從LPDDR3→ LPDDR4→ LPDDR4X→ LPDDR5，下一代記憶體較之前輩都具備上述優勢。
記憶體頻率
我們都知道，記憶體頻率越高，效能越強。LPDDR4X就存在LPDDR4X-1866（等效3733MH）和LPDDR4X-2133（等效4266MHz）兩種頻率，LPDDR5也包含LPDDR5-2750（等效5500MHz）和LPDDR5-3200（等效6400MHz）兩種頻率，現在很多旗艦手機搭載的所謂“滿血LPDDR5記憶體”，指的就是LPDDR5-3200標準。
記憶體通道
手機專用的LPDDR記憶體預設均為16bit位通道。以驍龍7系、6系、4係為代表的中低端移動平臺都是2×16bit，即16位雙通道（共計32位）；而驍龍8系移動平臺則是4×16bit，即16位四通道（共計64位）。此外，旗艦級晶片普遍還能搭配更高頻率的LPDDR5記憶體，所以它們才能保持對中端晶片的全面壓制。
記憶體管理機制
iPhone手機的記憶體遠不如同期的Android旗艦，但前者卻依舊能保持良好的流暢性，也很少聽說因記憶體不夠用而導致系統卡頓，在這背後就是記憶體的呼叫和回收等管理機制邏輯有別了。配置一模一樣的Android手機，開啟相同數量的APP總有一款更流暢，說明其研發團隊的“軟實力”更強。
RAM Boost技術
RAM Boost最早出現在2019年上市的一加7 Pro身上，可以讓8GB記憶體的一加7 Pro擁有等同於12GB記憶體競品的多工後臺能力。
2021年，幾乎所有的中高階新品都開始支援類似的RAM Boost技術。
榮耀X30i
真我Q3s
所謂的RAM Boost即記憶體虛擬快速擴充套件技術，我們可以將它理解為PC領域的“虛擬記憶體技術”，即將部分硬碟容量虛擬為記憶體，當後臺程式快要擠滿記憶體時，將部分程式劃分到虛擬記憶體中。RAM Boost的原理和其類似——用手機閒置的ROM快閃記憶體來接納來自物理記憶體的碎片。
同時開啟無數程式本來就是手機使用上的偽需求
但是，ROM快閃記憶體的讀寫速度遠不如RAM記憶體，如果你真的在後臺同時駐留數十個應用，同時擠滿RAM和ROM虛擬出來的記憶體時，系統流暢性肯定會受到影響。因此，RAM Boost並不能提升記憶體效能，它只能同時在記憶體中駐留更多程式。與其指望它帶來驚喜，還不如期待手機可以直接搭配更大的記憶體以及更具效率的記憶體管理機制呢。
