眾所周知，在儲存晶片領域，不管是在DRAM記憶體，還是在NAND快閃記憶體上，三星、SK海力士、美光都是當之無愧的巨頭，三家掌握著市場。
當然國產儲存也是在奮起直追，比如長鑫儲存主攻DRAM記憶體，目前也推出了DDR4顆粒，而長江儲存已經推出了128層的快閃記憶體，基本上也追上了三星、SK海力士、美光的水平。
而近日，有機構拆解了長江儲存的一款128層TLC 3D快閃記憶體，發現其儲存密度達到了目前業界最高的8.48 Gb/mm²，遠高於三星、美光、SK海力士等一線NAND晶片大廠。
拆解的裝置是Asgard（阿斯加特）的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD，採用的是長江儲存512Gb 128層Xtacking 2.0 TLC快閃記憶體，其die尺寸（晶圓大小）為 60.42 mm²，折算下來儲存密度達到了8.48 Gb/mm²。
為何長江儲存的儲存密度這麼高，這與長江儲存的Xtacking架構有關，像三星等廠商的傳統3D NAND架構中，相當於平面型結構，其中外圍電路約佔芯片面積的20~30%，這樣面積大，儲存密度就低了。
但Xtacking技術則是將外圍電路置於儲存單元之上，相當於是立體結構了，類似於雙層的，所以面積更小，折算下來儲存密度就高了。
儲存密度高，有什麼用？我們知道儲存晶片也是由晶圓製造出來的，一塊晶圓能夠製造多少塊儲存晶片，要看儲存晶片的面積大小，面積大，那麼切割出來的晶片就少，面積小，切割出來的晶片就多。
儲存密度高，那麼晶片的面積就變小了，那麼一塊晶圓能夠切出來的晶片就變多了，這會有兩個好處，一是成本降低了，這個比較容易理解，二是生產效率更高了，因為處理好同樣一塊晶圓，可以得到更多的儲存晶片了。
據媒體報道稱，長江儲存正在研發192層的3D NAND快閃記憶體晶片，再結合Xtacking架構，有望在3D NAND技術上進一步取得領先。
