沒有槍,沒有炮,我們自己造。
引線框架,這個不起眼的領域,我們仍然受制於人。12月7日,華為聯合上海交大,推出了引線框架核心材料製造技術。
來源:前沿情報站(qyqbz_2021)
引線框架是什麼?你可能沒聽說過。
但你肯定經常聽到“XX手機搭載XX晶片”,而引線框架,就是積體電路晶片的封裝載體,是晶片與外界導線連線的橋樑,同時為電路工作時的晶片散熱,也是半導體產業中重要的基礎材料。
想要造晶片,引線框架必不可少。
然而,高階蝕刻引線框架市場長期以來多為日韓主導,國內企業常年處於追趕地位。目前國內生產的電子引線框架採用銅合金異型銅帶,成品率低,成本高,而且帶材的長度也不能滿足使用者連續高速衝制的要求。
去年,歐菲光推出了國產高階蝕刻引線框架,而現在,華為也正式進軍其中。
根據國家專利局公開資料顯示,12月7日,華為與上海交通大學聯合申請的一項專利《一種適合於鑄造工藝的高導熱銅合金及其製備方法》獲得公開。
根據專利描述,其屬於金屬材料技術領域,主要是為了提供一種適合於鑄造工藝的高導熱銅合金及其製備方法,使得合金具有高導熱效能和/或具有較強的力學效能,而這正是引線框架的核心材料。
現有技術方案的缺點
銅及銅合金具有十分優異的導熱效能,是作為引線框架用材料的首選。
純銅有著400W/(m·K)左右的高導熱係數,但是其強度過低,無法滿足引線框架對一定強度的要求。為了解決純銅強度低的問題,多數研究者透過兩種方式來實現:
- 第一種是透過新增大量的合金元素實現固溶強化、第二相強化和細晶強化等;
- 第二種是透過固溶失效、冷變形等後續熱處理或加工手段來實現固溶強化、沉澱強化和加工硬化等。
兩種方式雖然都可以較大地提升銅合金強度,但是卻損失了較多的導熱效能。而且,後續工藝的應用增加了材料方面的時間成本和經濟成本。
目前已開發的低固溶度銅合金體系有Cu‑Cr、Cu‑Zr等,其中Cr在Cu基體中的極限固溶度為0 .7wt .%,Zr在Cu基體中的極限固溶度為0 .11wt .%。該兩種元素雖然能在強化銅合金的同時極大地保持合金的高導熱效能,但是固溶於基體的合金元素仍然對導熱效能十分不利。
而大多數銅合金雖然具有足夠的強度,但是導熱效能卻降低極大。例如Cu‑Cr、Cu‑Zr、Cu‑Ni‑Si、Cu‑Ni‑Zn和Cu‑Ti等合金,雖然其強度足夠,但是導熱效能降低十分明顯。
導熱新能隨著合金含量變化動態
大多數銅合金導熱係數低於250W/(m·K),很難滿足高速運轉的電子元器件對引線框架等殼體材料的高導熱效能的要求。此外,多數高導熱銅合金通過後續熱處理和冷變形等工藝製備,大大增加了材料成本。
怎樣才能製作出一種合金元素新增量少、適合於鑄造工藝,而無需後續工藝處理的高導熱銅合金?這是一個難題
華為與上海交大的方案
12月7日公開的這篇專利中,提供了一種適合於鑄造工藝的高導熱銅合金,其包括La 2 .0~3 .5%,Zn 0~1 .5%,V 0 .001~0 .5%,其餘為銅和不可避免的雜質。專利中利用稀土元素的摻雜來解決導熱性等方面的難題。此外,還提供了材料的製備方法。
根據專利描述,與現有技術相比,本發明具有以下優點:
- (1)該種高導熱銅合金中的Cu‑2La‑0 .5Zn‑0 .05V合金的90HV硬度值相比於純銅的45HV而言有了極大的提升,同時仍然有著285W/(m·K)的高導熱係數。
- (2)製備方法十分簡單,常規鑄造方法即可完成,無需後續冷變形和熱處理等繁瑣工藝,極大降低了材料製備的時間成本和經濟成本。
- (4)滿足了引線框架等殼體對一定強度和高導熱效能的要求,能夠更高效地將電子器件運轉產生的熱量傳匯出去,極大地延長電子元器件的使用壽命。
前不久,華為剛出了一篇晶圓減薄技術相關專利,現在又聯合上海交大,推出引線框架材料加工技術。看來,華為在半導體全產業鏈的路上,雖然艱難,確是越走越遠了。
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