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意想不到的國產長鑫顆粒!朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14記憶體評測:唯一媲美三星 還更便宜

一、前言:接班三星B-Die的國產長鑫記憶體顆粒

說到朗科,很多人第一時間會想到隨身碟。其實作為隨身碟的發明者,朗科除了生產隨身碟和快閃記憶體之外,還涉獵到了記憶體、SSD固態盤等領域,也許很多人並不知道。

意想不到的國產長鑫顆粒!朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14記憶體評測:唯一媲美三星 還更便宜


剛剛拿到這款朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14限量版記憶體的時候,第一反應就是應該是採用了絕版的三星B-Die顆粒。

目前DDR4顆粒中,也只有特挑的B-Die才能在3200MHz以上的頻率上達成C14時序(14-14-14-34),正常體質只能14-16-16-36。

我們熟知的海力士CJR顆粒,雖然可以輕鬆達到很高的頻率,但是高頻C14時序對它來說幾乎是不可能實現的事情。

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然而我們沒有想到的是,這款朗科絕影RGB DDR4-3200 14-14-14-34限量版記憶體用的竟然是國產的長鑫顆粒!!!!

這絕對是第一款純國產的高規格DDR4記憶體。

此次朗科釋出的絕影RGB DDR4記憶體一共有3種型號,我們拿到的3200MHz 14-14-14-34屬於限量版。

另外還有兩種量產版,規格分別是3200MHz 14-16-16-36 1.35V、3600MHz 16-18-18-38 1.35V,時序都有所放寬,但依然是非常高階的檔次。

二、圖賞:電鍍銀工藝+ 可控RGB燈效

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包裝盒正面左上角是朗科的中英文Logo,右上角顯示可以支援主流主機板的神光同步效果。

右下角寫著終身保固。

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包裝盒背面介紹了一些記憶體的特性,可調RGB燈效、特挑顆粒等等。

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記憶體的馬甲採用了電鍍銀工藝,類似鏡面,通電之後,鏡面對RGB光效會產生反射效果。

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散熱馬甲採用的是5052系,厚度0.8mm的鋁材製造,經衝壓一體成型,表面使用了電鍍銀工藝,有鏡面反光效果,不過也比較容易收集指紋。

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另一面的貼紙上可以看到記憶體的規格,DDR4 3200MHz,時序14-14-14-34,電壓1.35V,單條容量8GB。

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拆下散熱馬甲,從左到右依次是2個鋁製散熱片,PCB本體、導光棒。

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記憶體採用單面設計,一面有8顆記憶體顆粒。

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另外一面是空的。

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特挑的長鑫顆粒,畢竟做到3200MHz 14-14-14-34並不是那麼容易。

為了實現神光同步,也就是讓玩家自由設定RGB燈效,朗科在記憶體的PCB板上集成了一顆ENE 6K5830UA0晶片,用於控制燈效。

目前市面上絕大多數支援RGB燈效的記憶體都沒有專門的控制晶片,也就是說無法讓玩家控制燈效,當然也無法做到神光同步效果。

三、超頻測試:1.4V電壓可超4000MHz 18-18-18-39

測試平臺如下

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為了驗證記憶體的相容性,我們在AMD和Intel平臺上分別進行了測試。

比較奇怪的事情就是,在微星Z590 ACE主機板上很難點亮,診斷卡顯示E0,但是在幾塊華碩和技嘉的板子上卻沒有任何問題。

1、AIDA64記憶體快取測試

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CPU-Z可以檢測出一部分引數,朗科製造、長鑫顆粒、記憶體型號是Limited Edition,也就是限量版。

內建了2組XMP引數,分別是3200MHz 14-16-16-36和3200MHz 14-14-14-34,電壓都是1.35V。

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這是直接開啟XMP後的測試資料,記憶體的讀取、寫入和複製頻寬分別為46662MB/s、46042MB/S、40460MB/s,而記憶體的延遲則為51.8ns。

2、超頻測試

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不需要調整電壓就可以超頻到3600MHz,只不過時序需要稍微放寬到15-16-16-36,此時記憶體延遲降到了49.7ns。

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將電壓調到1.4V之後,可以超頻到4000MHz,時序為18-18-18-39,實測記憶體讀取讀取、寫入和複製頻寬分別為57550MB/s、56686MB/S、50128MB/s,此時延遲降到了46.7ns,這個數字要強於市面上絕大多數4000MHz的DDR4記憶體。

3、超頻穩定性測試

超頻到4000MHz的時候我們只是記憶體電壓調到了1.4V,其他電壓全自動。

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主機板給的自動電壓,VCCIO的1.3V還算正常,不過VCCSA的電壓達到了1.57V,建議手動調整一下,最好不要超過1.4V。

使用MemtestPro 4.3測試超頻後的穩定性,總計測試了2小時48分鐘,測試期間出現了一個報錯,不過也就僅此一個。

一般來說,一個報錯對於系統的穩定性都不會造成什麼影響,當然,如果是0報錯就更好了。

四、總結:國產DDR4顆粒第一次媲美三星

經歷了12代酷睿、DDR5記憶體的洗禮之後,現在大家都知道了記憶體延遲的重要性。過高的延遲導致DDR5需要5200MHz以上的頻率,才能在遊戲效能上勉強勝出3600MHz的DDR4記憶體。

對於記憶體而言,降低時序無外乎2種方法:提升頻率、降低時序。

首先說頻率,今時今日,不論是AMD平臺還是Intel平臺,DDR4記憶體最佳頻率都是3600/3800MHz,更高的頻率會導致AMD FCLK和Intel的記憶體控制器頻率減半,記憶體延遲暴漲,得不償失。

至於時序,我們前面也說到了,此前只有三星B-Die可以做到高頻C14時序,而長鑫則是第二家能做到3200MHz 14-14-14-34的記憶體廠商。

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再來說說這款朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14記憶體。

我們在測試中發現了幾個問題,首先是它對於特定型號的微星主機板支援不是太好,但是華碩、技嘉則完全沒有任何問題。

在超頻方面,這款記憶體可以在預設1.35V電壓下超頻到3600MHz 15-16-16-36,稍微加壓到1.4V之後,可以穩定在4000MHz 18-18-18-39並能透過Memtest穩定性測試。

很奇怪的是,在1.4V之後繼續加壓並不能提升記憶體頻率了,有點不合常理。

針對這部分超頻上的限制問題,據朗科記憶體產品負責人透露,他們目前正在積極與主機板廠的BIOS團隊針對長鑫顆粒做超頻最佳化調教,希望能為國產顆粒生態圈的完善出一分力量。

不過頻率超過4000MHz之後,在主流平臺上,DDR4記憶體的遊戲效能其實是不升反降的,所以也不用太過糾結4000MHz以上的頻率。

B-Die顆粒早已停產,市面上的存貨價格都相對昂貴,這一點國產顆粒的優勢就來了,在價格上長鑫的特挑顆粒售價要遠低於三星B-Die。

對於想要體驗高效能記憶體的小夥伴而言,朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14記憶體可算是一個非常合理的選擇。

最後,根據朗科透漏給我們的訊息,他們已經挑出了一批DDR4 4000MHz 17-18-18-36 1.35V記憶體,現在對國產顆粒稍微有了那麼一點點期待

分類: 軍事
時間: 2021-12-05

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