綜合韓媒報道，當地時間23日，韓國三星電子表示，最終確定將在美國得克薩斯州泰勒市新建半導體代工廠，負責生產5G等尖端系統半導體。預計投資規模達170億美元(約合人民幣1086億元)，創三星電子在美投資規模之最。
資料圖：圖為韓國三星公司的3奈米12英寸晶圓。張亨偉 攝
據報道，當地時間23日，韓國三星電子在美國得克薩斯州州長官邸舉行記者會，公佈將斥資170億美元，在得州泰勒市新建半導體晶圓代工廠。
報道指出，這將是三星電子在美國的第二座半導體晶圓代工廠。工廠總面積為500萬平方米，將於2022年上半年動工，計劃於2024年下半年投入量產。
據介紹，此工廠負責生產5G、高效能計算機(HPC)和人工智慧等尖端系統半導體。
針對選址原因，三星電子表示，公司綜合考慮新廠與其在美國的奧斯汀工廠的協同效應、半導體生態系統和基建供應穩定性、與地方政府的合作等因素，敲定泰勒市為新廠址。
三星電子還指出，由於新廠距離奧斯汀工廠只有25公里，便於使用既有基礎設施。加上得州有許多IT企業和著名大學，有利於吸引顧客和優秀人才。
泰勒市政府也承諾，將向三星電子提供豐厚的優惠。
報道稱，從韓國器興、華城、平澤，到美國奧斯汀和泰勒，三星電子的全球系統半導體生產體系，將更為牢固。
2021年5月，三星電子在美國華盛頓特區舉行的“韓美商務圓桌會議”上，釋出在美新建晶圓工廠計劃，時隔6個月，最終敲定工廠選址。
來源：中國新聞網
