隨著半導體制程發展遇到瓶頸,快閃記憶體原廠紛紛透過3D堆疊來實現固態硬碟容量的可持續提升。今年各家已經基本實現120層左右，接下來170層到200層的了，每家快閃記憶體廠商的方案都有所不同，西數將在明年底量產BiCS6代3D快閃記憶體，堆疊層數提升到162，而且介面速度翻倍。
在快閃記憶體市場上，西數跟東芝是合作研發、生產的，BiCS技術其實主要是來自東芝，目前量產的主力是BiCS5，2019年2月份釋出，堆疊層數112層，核心容量512Gbit，介面速度1.066Gbps。BiCS6快閃記憶體是下一代產品，堆疊層數最終確定為162層，而非之前所說的170+層，核心容量也提升到了1Tbit，另外就是介面速度也將達到2.0Gbps，相比上代翻倍，不過距離三星最新的8代V-NAND快閃記憶體的2.4Gbps已經非常接近了。
根據西數的計劃，BiCS6快閃記憶體將從明年初開始生產，但真正大規模量產要到2022年底了，現在的BiCS5快閃記憶體還要過渡至少一年。
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